浅谈硅基激光器技术的3个发展方向及前景广阔

根据新思界产业研究中心发布的-2020-2024年硅基激光器行业深度市场调研及投资策略建议报告-显示，2015-2019年，全球工业激光器市场年均复合增长率达到18%，2019年，市场规模达到52亿美元，增长势头强劲。预计2020-2024年，全球硅光子市场将以40%左右的增速飞速增长，到2024年市场规模将达到28亿美元左右。全球工业激光器与硅光子市场均保持强劲增长势头，为硅基激光器行业发展带来广阔空间。
  硅基激光器技术主要有三个发展方向，一是通过光栅耦合器将激光器耦合进硅波导中，此技术需要大功率激光器芯片；二是将III-V族的DFB芯片倒装焊于SOI晶圆上，通过端面耦合进硅波导中，此技术对倒装焊设备精度要求高；三是将III-V族发光材料键合在SOI晶圆上，制作成激光器耦合进硅波导中。在全球硅基激光器市场中，美国处于技术领先地位。
  我国光通信产业发展迅速，为保障国内光通信产业发展，打破核心器件市场被国外企业垄断的格局，实现硅基激光器自主研发生产势在必行。在此背景下，我国在硅基激光器研究领域的投入不断加大。2018年，中山大学光电材料与技术国家重点实验室与英国伦敦大学合作，研发出国际首例硅基外延生长电抽运室温连续工作分布反馈式（DFB）激光器阵列芯片，对我国硅基激光器行业发展具有重要意义。
  随着光通信技术进步，其功能集成度不断提升，元器件小型化、超薄化、高兼容化成为趋势。相较于传统激光器发光材料，硅材料与CMOS兼容性好，并可利用纳米技术制造元器件，可以满足小体积要求，有利于功能集成。同时，硅材料还具有光学损耗低、波导性能优、机械性能好、抗辐射性能佳等优良特性。此外，硅资源全球储量大，原料来源丰富，成本较低，更加坚信硅基激光器在接下来的发展中优势很大。硅基激光器是激光器的重要发展方向，同时也是硅光子技术的核心器件，未来具有广阔发展前景。
（以上内容参考：新思界网)

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